- doping impurity
- легуюча домішка
English-Ukrainian dictionary of microelectronics. 2013.
doping impurity
Смотреть что такое "doping impurity" в других словарях:
doping impurity density — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
doping impurity type — legiravimo priemaišų tipas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant type; doping impurity type vok. Dotierungstyp, m; Störstellentyp, m rus. тип легирующей примеси, m pranc. type de dopage, m; type d impureté dopante, m … Radioelektronikos terminų žodynas
doping impurity diffusion — legiravimo priemaišų difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping impurity diffusion vok. Störstellendiffusion, f rus. диффузия легирующей примеси, f pranc. diffusion d impureté dopante, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Doping (semiconductor) — In semiconductor production, doping intentionally introduces impurities into an extremely pure (also referred to as intrinsic) semiconductor for the purpose of modulating its electrical properties. The impurities are dependent upon the type of… … Wikipedia
impurity doping — priemaišinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity doping vok. Dotierung mit Fremdatomen, f rus. примесное легирование, n pranc. dopage d impureté, m … Radioelektronikos terminų žodynas
impurity doping profile — legiravimo priemaišų profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant distribution profile; impurity doping profile vok. Störstellendotierungsprofil, n rus. профиль распределения легирующей примеси, m pranc. profil d impureté … Radioelektronikos terminų žodynas
Extrinsic semiconductor — An extrinsic semiconductor is a semiconductor that has been doped , that is, into which a doping agent has been introduced, giving it different electrical properties than the intrinsic (pure) semiconductor. Doping involves adding dopant atoms to… … Wikipedia
Dotierstoffdichte — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
Dotierungsdichte — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
densité d'impureté dopante — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
densité de dopant — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
